Khakhor Pattakhovich Abdurakhmanov

	Name:	Qakhkhor Pattakhovich Abdurakhmanov
	Geburtsdatum:	8. Mai 1941
	Geburtsort:	Taschkent
	Akademischer Titel:	Doktor der Physik und Mathematik, Professor
	Ausbildung:	Staatliche Universität Taschkent 1960-1966
	Richtung:	Theoretische Physik
	Spezialität:	Physik

Abdurakhmanov Khakhor Pattakhovich ist einer der bekanntesten und angesehensten Pädagogen unseres Landes, doktor der physikalischen und mathematischen Wissenschaften, Professor. Er ist ein Wissenschaftler, ein reifer Lehrer, ein fürsorglicher Führer und ein wahrer Mensch, der einen wesentlichen Beitrag zur Entwicklung der Naturwissenschaften, zur Entwicklung aktueller theoretischer und praktischer Probleme der republikanischen Wissenschaft und Hochschulbildung sowie zur Ausbildung wissenschaftlicher und pädagogischer Fachkräfte geleistet hat. Khakhor Pattakhovich ist Träger der Abzeichen “Mehnat shuhrati” (Arbeitsruhm), “Fidokorona xizmatlari uchun” (Für selbstlose Verdienste), des Abzeichens “Oʼz kasbining ustasi” (Meister seines Berufs), des Abzeichens 1. Grades “Mehnat faxriysi” (Veteran der Arbeit) und der Medaille “Oʼzbekiston Respublikasi Konstitutsiyasining 25 yilligi” (25. Jahrestag der Verfassung der Republik Usbekistan).

Abdurakhmanov Khakhor Pattakhovich wurde am 8. Mai 1941 in der Stadt Taschkent in einer Arbeiterfamilie geboren. Von 1948 bis 1958 besuchte er die 1. Sekundarschule in Taschkent. Er begann seine Karriere als Werkzeugmacher-Dreher im Verkehrstechnikwerk Taschkent. Arbeitete zwei Jahre lang als Werkzeugmacher-Dreher der 2. Klasse.

Von 1960 bis 1966 studierte er am Lehrstuhl für Theoretische Physik der Fakultät für Physik der Staatlichen Universität Taschkent (heute Nationale Universität Usbekistan).

Im Jahr 1966 verteidigte Q.P. Abdurakhmanov erfolgreich seine Dissertation, erwarb einen Abschluss in Physik auf dem Gebiet der Halbleiter und wurde eingeladen, als junger Spezialist an der Abteilung für Theoretische Physik zu arbeiten.

Von 1966 bis 1971 war er Praktikant und Doktorand an der TashSU. Er absolvierte ein Praktikum am Leningrader Institut für Halbleiter der Akademie der Wissenschaften der UdSSR (1966-1968). In den Jahren 1968-1971 schloss er sein Aufbaustudium am Labor für Diffusionsprozesse des Leningrader Instituts für Physik und Technologie der Akademie der Wissenschaften der UdSSR ab.

Von 1971 bis 1981 arbeitete er als Nachwuchsforscher, leitender Forscher und Leiter des Labors für Halbleiterphysik der Staatlichen Universität Taschkent.

Von 1978 bis 1981 arbeitete er als außerordentlicher Professor am Institut für Physik von Halbleitern und Dielektrika der Staatlichen Universität Taschkent.

Von 1981 bis 1987 arbeitete er als Leiter des Halbleiterlabors am Forschungsinstitut für Angewandte Physik der Staatlichen Universität Taschkent.

Von 1987 bis 1991 arbeitete er als stellvertretender Direktor für wissenschaftliche Angelegenheiten des Forschungsinstituts für Angewandte Physik der Staatlichen Universität Taschkent.

Von 1991 bis 1995 arbeitete er als Leiter des Halbleiterlabors am Forschungsinstitut für Angewandte Physik der Staatlichen Universität Taschkent.

Von 1995 bis 2002 arbeitete er als Direktor des staatlichen Kleinunternehmens „MELMA“ – dem wissenschaftlichen Produktionszentrum für Mikroelektronik und Spezialgeräte unter der Kontrolle des Wissenschafts- und Technologieausschusses der Republik Usbekistan und des Innenministeriums der Republik Usbekistan.

Im Dezember 2002 wurde Q.P. Abdurakhmanov zum Leiter der Fakultät für Physik der Universität für Informationstechnologien Taschkent gewählt. Von 2012 bis 28. Oktober 2016 war er als Professor am Lehrstuhl für Physik tätig.

Von 2016 bis 2017 fungierte er als kommissarischer Leiter des Lehrstuhls Physik und seit dem 15. Oktober 2017 als Professor des Lehrstuhls Physik.

Von der Preisverleihung für wissenschaftliche Arbeiten an der TUIT

Q.P.Abdurakhmanov begann seine wissenschaftliche Karriere als Student im dritten Jahr der Abteilung für Theoretische Physik. Im Jahr 1964 wurde er auf eine wissenschaftliche Reise zum Wissenschafts- und Industrieverband „Pulsar“ in Moskau geschickt, um die Technologie der Tunneldioden zu erlernen.

Im Jahr 1965, als er im 5. Studienjahr studierte, wurde er auf eine wissenschaftliche Reise zur Wissenschafts- und Produktionsvereinigung für Elektrotechnik in Moskau und zum Radiotechnikwerk namens H. Pigelman in Tallinn geschickt, um die physikalischen und technologischen Parameter siliziumbasierter integrierter Schaltkreiselemente theoretisch zu berechnen und Fertigungstechnologien zu entwickeln. Die während der Reise geleisteten Arbeiten bildeten die Grundlage für den Bericht über den großen Wirtschaftsauftrag des Lehrstuhls für Theoretische Physik und die Diplomarbeit von Q.P. Abdurakhmanov.

In den Jahren 1968-1981 führte er wissenschaftliche und Forschungsarbeiten zur theoretischen und experimentellen Untersuchung spezifischer Eigenschaften der Verteilung der Dichte von Quantenzuständen, die nah den Hauptfelder von Galliumarsenid und Silizium sind, durch. Q.P. Abdurakhmanov ist der Begründer der Tunnelspektroskopie-Methode. Er war der erste weltweit, der experimentell kleine Nichtlinearitäten der Volt-Ampere-Kennlinien von Metall-Halbleiter-Tunnelstrukturen und Josephson-Kontakten bei sehr niedrigen Temperaturen (1 ÷ 4,2 K) bestimmte. Er entwickelte die Technologie zur Herstellung idealer Tunnel-Metall-Halbleiter-Kontakte auf Basis von Galliumarsenid und Silizium.

Er war der erste, der auf der Grundlage seiner Analyse Elektronentunnelübergänge in Metall-Halbleiter-Kontakten die Eigenschaften der Verteilung der Dichte von Quantenzuständen an den Grenzen der Hauptdomänen von n- und r-GaAs-, n- und r-Si-Halbleitern, die Kinetik der Bildung des Eingangsenergiefeldes und seiner Ergänzung zum Hauptfeld, der Mechanismus der Nullanomalie des Eingangspotentials, die Energieabhängigkeit der effektiven Massen der Elektronen, die den Tunneleffekt durchlaufen, und die Werte der Tunnelwahrscheinlichkeit und Verschiebungswerte der Grenze der Hauptgebiete experimentell bestimmte. Zum ersten Mal wurde experimentell eine sprungartige Änderung der Fermi-Energie in hochangereichertem Galliumarsenid und Silizium von 8x1018 auf 6,25x1019 cm-3 am Übergang des Eintrittsenergiefeldes zum Hauptfeld beobachtet. Q.P. Abdurakhmanov gründete eine neue wissenschaftliche Richtung und gründete eine wissenschaftliche Schule zur experimentellen Untersuchung der Verteilung von Quantenzuständen und ihrer spezifischen Eigenschaften innerhalb der Grenzen der Hauptgebiete der Halbleiter.

1973 verteidigte er seine Dissertation des Kandidaten vor dem Fachwissenschaftlichen Rat von Leningrader Polytechnischen Instituts zum Thema „Suche nach der Dichte von Quantenzuständen in der Nähe der Hauptsphären von Galliumarsenid“.

1981 gründete Q.P. Abdurakhmanov das Halbleiterlabor am Forschungsinstitut für Angewandte Physik der TashSU und leitete es bis 1995.

Solarladegerät für Akkus von Mobilfunkstationen im UQT-Bereich. SZU-15

Bild der Blutgefäße des Augapfels, aufgenommen mit dem Hardware-Programm-Fernsehmikroskop, das auf dem Carl-Zeiss-Operationstisch des Lehrstuhls für Augenheilkunde des Taschkenter Institut für Fortbildung der Ärzte montiert ist.

Während der Installation des Solarbeleuchtungssystems des Modells des Taschkenter Fernsehturms auf dem Gebiet der Fergana-Filiale von TUIT

Q.P.Abdurakhmanov (1990) und Sh.B.Utamuradov (2015) verteidigten ihre Doktorarbeiten auf der Grundlage der Ergebnisse der wissenschaftlichen Forschung. Unter der Leitung von Q.P. Abdurakhmanov verteidigten S.I. Vlasov (1979), A. Ya. Kvurt (1987), T. A. Umarov (1991), Q. Kh. Khodjaev (1991), H.U. Sagdullaev (1993), S.Q. Persheev (1995) ihre Kandidatendissertationen; Sh.B. Utamuradova (2015), S.S. Beknazarova (2015) und O.O. Ochilova (2019) ihre Doktorarbeiten der Philosophie.

Erfindungen

• Абдурахманов К.П., Камилов Т.С., Исаев М.Ш. “Способ изготовле-ния плупроводниковых фотоэлектрических приборов”. Авторское свидетельство № 3364320.

• Абдурахманов К.П., Адамбаев К., Камилов Т.С., Худайбердиев С.С. “Способ изготовления приемника излучений”. Авторское свидетельство №307138.
• Абдурахманов К.П., Очилов О., Стрижевский А.Г. “Мобильное солнечное зарядное устройство”. Патент на полезную модель № ФАП 00374 от 2008 г.
• Абдурахманов К.П., Очилов О., Стрижевский А.Г. “Мобильное солнечное зарядное устройство”. Патент на полезную модель № ФАП 00482 от 2009 г.
• Абдурахманов К.П., Очилов О., Очилова О.О. “Учебный прибор для дистанционной демонстрации интерференционных явлений по оптике”. Патент на полезную модель № ФАП 00435 от 2009 г.
• Абдурахманов К.П., Очилов О., Очилова О.О. “Устройство для сравнительного анализа объекта по изображению его поверхности”. Патент на изобретение № ФАП 04195 от 2010 г.
• Абдурахманов К.П. “ Технология промышленного производства технического кремния по электродуговой плавки, охраняемой в режиме ноу-хау”. Интеллектуальная собственность. Объект интеллектуальной собствен-ности. Регистрационный № 04 2008. Центр профессиональной оценки.
• Абдурахманов К.П., Хамидов В.С., Бендик В. «еСтудй.уз» масофавий таълим тизими. Cвидетельство на программный продукт ДГУ № 01979 (20100099) 01.07.2010.
• Абдурахманов К.П., Бекназарова С.С. «Программа для ЭВМ “Медиаcоурсе Буилдер»». Свидетельство на программный продукт № ДГУ 02563 от 11.07.2012 г.
• Абдурахманов К.П., Бекназарова С.С. Программа для ЭВМ «Тест Портал». Свидетельство на программный продукт. № ДГУ 02535 от 08.06.2012.
• Абдурахманов К.П., Бекназарова С.С. Электронный медиакурс по физике. Свидельство на программный продукт. № 1356 от 02.09.2013 г.
• Абдурахманов К.П., Азаматов З.Т., Очилов О., Кануников В.В., Грошев И . “Аэродинамический двигатель”. Авторское свидетельство. Рег. №1АР201-305-17 от 12.12.2013 г.
• Абдурахманов К.П., Тигай О.Э, Бендик В.А., Хамидов В.С. Конструктор электронных учебных комплексов «Е-ТехтБоок». Свидетель-ство на программный продукт. № 2283 от 24.02.2015г. Автор.уз.
• Абдурахманов К.П., Азаматов З.Т., Кулагин И.А., Хусаинов И.А. «Лазерли интрограммаларнинг Фурье тимсолларини ясаш ва ўхшатиш учун дастур”. Свидетельство интеллектуальной собственности № ДГУ 04829 от 2017 г.
• Абдурахманов К.П., Усманов Б.Ш., Тахиров У.Х. «Солнечная сушильная установка”. Заявка на патент на полезную модель. № ФАР 20190018 от 01.02.2019 г.
• Абдурахманов К.П., Давронбеков Д., Исраилов Ж., Кириакиди А., Тиллабоев Б., Елькин Д., Давронбеков Н. “Модель регистрации пользователей информационной системы ИМЕИ». Свидетельство интеллектуальной собственности № ДГУ 06874 от 17.07.2019 г.
• Абдурахманов К.П., Давронбеков Д., Исраилов Ж., Файзуллаев Н., Давронбеков О. Расчет ИМЕИ мобильного терминала В1,0. Свидетельство интеллектуальной собственности № ДГУ 06201 от 08.04.2019 г.