O‘zbekiston Respublikasi Adliya vazirligi huzuridagi intelektual mulk agentligi tomonidan, O‘zbekiston Respublikasining “Ixtirolar, foydali modellar va sanoat namunalari to‘g‘risidagi” Qonuniga asosan Muhammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti professor-o‘qituvchi (Abdukadirov Muxitdin Abdurashitovich, Axmedova Nodira Amindjanovna, G‘aniyev Abror Sattorovich, Mo‘minov Ramizulla Abdullayevich)larining “YUQORI VOLTLI FOTOELEKTRIK GENERATOR” ixtirolari uchun PATENT berildi.
Patentning foydalanish sohasi: yarimo‘tkazgichli qurilmalar, xususan, yarim o‘tkazgichli fotoelektr konvertorlari.
Vazifasi: p-n o‘tishlar birikmalarining ochiq elektr zo‘riqishi va chiqish kuchlanishini oshirish, shuningdek umuman elektr quvvatini oshirish.
Shuningdek ixtiro mohiyati: Generator yuqori qarshilikli i-GaP substrat yuzasiga joylashtirilgan va p-n o‘tishga asoslangan qatlamli geterostruktura shaklida mikrofoto konvertorlarni o‘z ichiga olgan, n- va p turdagi o‘tkazuvchanlik qatlamlariga omik kontatklar bilan AIIIBV birikmasi asosida amalga qattiq eritmalarning geteroepitaksial qatlamlari orasida yotgan hususiyati shundaki
p-n o‘tkazuvchanlik Gaxln I-xP qattiq eritmasi asosida bajarilgan, bu yerda x≈0.73 substrat va nGaxln I-xP orasiga o‘zgaruvchan tarkibi 1.0≥x≥0.73 bufer qatlami Gaxln I-xP kiritilgan, substratning orqa yuzasida gologramma difraksiya panjarasi hosil qilingan.
